主要元件就是二极管。
主要元件二极管：
开关管振荡变压器.取样.调宽管.还有振荡回路电阻电容等参开关电路原理 。
2.逆变器的主功率元件的选择至关重要,目前使用较多的功率元件有达林顿功率晶体管（BJT）,功率场效应管（MOSFET）,绝缘栅晶体管（IGBT）和可关断晶闸管（GTO）等,在小容量低压系统中使用较多的器件为MOSFET,因为MOSFET具有较低的通态压降和较高的开关频率 。
3.在高压大容量系统中一般均采用IGBT模块,这是因为MOSFET随着电压的升高其通态电阻也随之增大,而IGBT在中容量系统中占有较大的优势,而在特大容量（100KVA以上）系统中,一般均采用GTO作为功率元件 。
二极管在逆变器中的应用 ：
高效率和节能是家电应用中首要的问题.三相无刷直流电机因其效率高和尺寸小的优势而被广泛应用在家电设备中以及很多其他应用中.此外,由于采用了电子换向器代替机械换向装置,三相无刷直流电机被认为可靠性更高.
北京瑞田达为您讲解：
IGBT模块是先进的第三代功率模块，工作频率1-20KHZ ，主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路 ，即DC/AC变换中 。例电动汽车、伺服控制器 、UPS 、开关电源、斩波电源 、无轨电车等 。问世迄今有十年多历史，几乎已替代一切其它功率器件 ，例SCR 、GTO、GTR、MOSFET ，双极型达林顿管等,目今功率可高达1MW的低频应用中，单个元件电压可达4.0KV（PT结构）— 6.5KV（NPT结构），电流可达1.5KA ，是较为理想的功率模块。
追其原因是第三代IGBT模块 ，它是电压型控制，输入阻抗大 ，驱动功率小 ，控制电路简单，开关损耗小 ，通断速度快 ，工作频率高，元件容量大等优点。实质是个复合功率器件 ，它集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体化 。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低 ，开关频率高（可达20KHZ），这两点非常显著的特性 ，最近西门子公司又推出低饱和压降（2.2V）的NPT—IGBT性能更佳 ，相继东芝 、富士 、IR、摩托罗拉亦已在开发研制新品种 。
IGBT模块发展趋向是高耐压 、大电流 、高速度、低压降 、高可靠 、低成本为目标的，特别是发展高压变频器的应用，简化其主电路 ，减少使用器件 ，提高可靠性，降低制造成本 ，简化调试工作等 ，都与IGBT有密切的内在联系，所以世界各大器件公司都在奋力研究、开发 ，予估近2-3年内 ，会有突破性的进展。目今已有适用于高压变频器的有电压型HV-IGBT，IGCT ，电流型SGCT等 。
